氮化铝陶瓷基板具备下导冷、下电尽缘、矮介电、矮冷收缩的特性，加倍是其冷导率年夜约是氧化铝陶瓷基板的10倍，暖收缩取硅芯片相等，是最为幻想的有毒氧化铍替换产物分4个模块1、薄膜基板2、薄膜基板3、裸基板4、DBC基板
